Стріха Максим Віталійович

Відомий учений у галузі фізики напівпровідників та українського перекладознавства. Доктор фізико-математичних наук. Письменник, перекладач, громадський діяч. Академік АН ВШ України з 2005 р.

Народився 24.06.1961 р. в Києві в родині науковців. Закінчив радіофізичний ф-т КДУ ім.Т.Шевченка. З 1983 р. – в Ін-ті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України, нині – на посаді головного наукового співробітника. Канд. фіз.-мат. наук (1987); доктор фіз.-мат. наук (1997), дисертація «Оптичні та рекомбінаційні переходи в напівпровідниках з дефектами, деформаціями та неоднорідностями складу». З 2008 р. – професор кафедри фізичної електроніки Київського національного ун-ту ім. Т.Г.Шевченка (за сумісництвом), читає курс «Фізика конденсованого середовища» для магістрів. З 1 вересня 2010 р. – завідувач кафедри перекладу Київського університету Б.Грінченка (за сумісництвом), читає курс «Вступ до спеціальності «Переклад»», керує аспірантурою.

У 1990–1994 – депутат Київської міської ради, в 1993–1995 – радник міністра культури України. З 6 лютого 2008 р. по 16 червня 2010 р. – заступник міністра освіти і науки України.

Наукові інтереси в галузі фізики напівпровідників – побудова послідовної теорії оптичних та рекомбінаційних переходів у реальних напівпровідниках, покращення властивостей матеріалів напівпровідникової електроніки, фізика графену. У галузі українського перекладознавства запропонував і обґрунтував концепцію націєтворчої функції українського художнього перекладу.

Автор близько 100 наукових праць з фізики, у т.ч. 4 огляди, 1 посібник з грифом МОН, патент. Автор понад 100 статей, присвячених постатям і явищам українського перекладу та 2 монографій з перекладознавства.

Член Українського фізичного товариства (з 1992; з 2004 – член бюро координаційної ради). Член Асоціації українських письменників (1997, віце-президент з 2009) та Національної спілки письменників України (1994). Книга віршів «Сонети та октави» (1991). Перекладав українською мовою поетичні та прозові твори Данте, В.Вордсворта, А.Ч.Свінберна, Р.Л.Стівенсона, Ж.М.Ередіа, В.Вітмена, Е.Дікінсон, Р.Кіплінга, Д.Г.Лоуренса, Т.С.Еліота, інших класичних та сучасних авторів. Видав авторські перекладні антології англійської, американської, російської поезії.

Член редколегій журналів «Всесвіт», «Український фізичний журнал», «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології» та ін.

Лауреат Нагороди Ярослава Мудрого АН ВШ України (2007). Нагороджений Почесною Грамотою МОН України (2007). Відзнака «За наукові досягнення» Президії НАН України (2008). Лауреат премії журналу «Сучасність» (2005) та премії ім. Миколи Лукаша журналу «Всесвіт» (2008).

Член Президії АН ВШ України (з 2004), віце-президент АН ВШ України (з 2010).

 

 

Звіт академіка Стріхи М.В. (відділення фізики і астрономії) за 2010 р.

 

Половину робіт звітного року [2, 3, 5] присвячено принципово новим фізичним характеристикам, яких набувають традиційні об’ємні вузькощілинні та безщілинні напівпровідники (надалі ВН, БН - антимонід індію, потрійна сполука КРТ) під дією одновісного стиску і які можуть мати важливе прикладне застосування. Важливо, що такий стиск знижує симетрію кристалу, призводячи до радикальної перебудови зонної структури. Так, в БН виникає індукована стиском щілина, причому за певних параметрів складу сполуки КРТ цей деформований матеріал може бути як непрямозонним, так і прямозонним. У ВН стиск не лише перенормовує ширину забороненої зони, але й призводить до розщеплення вершини валентної зони та до радикальної зміни значення ефективних мас дірок у її підзонах у напрямках вздовж та перпендикулярно до осі стиску.

Така перебудова зонної структури призводить до важливих фізичних наслідків. Так, у ВН під дією стиску різко знижується темп Оже-рекомбінації (яка домінує в цих кристалах) та зростає швидкість випромінювальної рекомбінації. Це відкриває можливість радикально (на порядок) підвищити квантовий вихід і зробити названі кристали не лише ефективними приймачами, але й випромінювачами в актуальному інфрачервоному діапазоні.

Вперше показано [3], що одновісний стиск має дискримінаційний вплив на рекомбінацію Шоклі-Ріда через різні типи глибоких домішкових центрів. Відтак дослідження залежності часу життя від величини стиску (його легко провести, вивчаючи динаміку сигналу фотопровідності) може однозначно вказати на тип глибокого центру: h-центр, який має симетрію вершини валентної зони, чи l-c-центр, який має симетрію дна зони провідності.

Результати цих робіт отримано спільно з експериментальною групою Г.А.Шепельського в Інституті фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова.

Решту робіт звітного року [1, 4, 6] присвячено новому й динамічному напрямкові науки - фізиці графену, актуальність якої підтверджено присудженням Нобелівської премії 2010 р. з фізики А.Гейму і К.Новосьолову, які отримали графен (моноатомний шар вуглецю) в 2004 р. Досліджено нерівноважність носіїв у графені, обумовлену термічною радіацією та модульоване полем відбиття й подвійне променезаломлення. Ці роботи виконувалися спільно з Ф.Т.Васьком.

Опубліковано першу в Україні оглядову статтю, присвячену основам фізики графену і розраховану на широке коло фізиків [6].

 

Опубліковані роботи

 

1. M.V.Strikha, F.T.Vasko. Electro-optics of graphene: Field-modulated reflection and birefringence // Phys. Rev. B. – 2010. – v.81, n.11, 115413. – Р.1-7.

2. S.Gasan-zade, M.Srtikha, G.Shepelskii. Special type of surface states in Hg1-xCdxTe // Physica status solidi (b). – 2010. – v.247,  n.6. - P.1492-1494.

3. V.A.Boiko, G.A.Shepelsii, S.V.Stariy, M.V.Strikha. On the problem of type of deep recombination centers in InSb // Ukr.J.Phys.Opt.. – 2010. – v.11. - Suppl. 1 “Scientific Horizons”. - S26-S34.

4. Ф.Т.Васько, П.М.Романець, М.В.Стріха. Радіаційно обумовлена нерівноважність носіїв у графені // В кн.: 4-а міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. СЕМСТ-4». Тези доповідей. Одеса: Астропринт, 2010. - С.34-35.

5. М.В.Стріха, В.А.Бойко, С.В.Старий, Г.А.Шепельський. Дискримінація типів глибоких рекомбінаційних рівнів у ІnSb з баричної залежності фотопровідності // В кн.: 4-а міжнародна науково-технічна конференція «Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. СЕМСТ-4». Тези доповідей. Одеса: Астропринт, 2010. - С.49.

6. М.В.Стріха. Фізика графену: стан і перспективи. // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - . 2010. – т.1 (7), вип. 3. – С.5-13.